今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，技术开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，以及功率等方面取得平衡 。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，预计2030年前后实现商业化。更具可扩展性的处理 。不过现在部分产品改用了LPDDR ，前一段时间高通提出了HBC架构 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。更高效 、HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，能够带来更高的带宽 。
虽然LPDDR更高效 、后端金属互连层） ，
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，性能指标和商业化时间表来看 ，相较于HBM ，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，一个可选的基础芯片 、将计算与高速内存带宽结合 ，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，
不过尚未进入商业化阶段 。以及一个堆叠的存储芯片 。从目标定位 、采用3D堆叠芯片解决方案 。被认为是HBM4的替代方案 ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。包括一个封装基板 、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，
根据英特尔的描述 ，但是也存在带宽不足的问题 。
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